Rusia invertirá 2.540 millones de dólares hasta 2030 en el desarrollo de máquinas de fotolitografía propias.
En 2028 planea tener preparado un equipo de ultravioleta extremo capaz de fabricar semiconductores de 7 nm.
En el ámbito de los semiconductores China y Rusia están recorriendo el mismo camino, aunque por el momento no sabemos con certeza si están colaborando. Estos dos países están sometidos a sanciones de EEUU y sus aliados que persiguen dificultar el desarrollo de su industria de los circuitos integrados, así como su acceso a los chips de vanguardia que es posible encontrar actualmente en el mercado. En esta coyuntura su única opción es invertir para reforzarse y limitar su dependencia de los equipos de litografía procedentes del extranjero.
A principios del pasado mes de octubre el Ministerio de Industria y Comercio de Rusia puso en marcha un programa a gran escala que persigue poner fin definitivamente a la necesidad de importar las máquinas de fabricación de chips de otras naciones rivales. El país liderado por Vladímir Putin invertirá 2.540 millones de dólares hasta 2030 en el desarrollo de máquinas de fotolitografía propias que le permitan independizarse de las potencias extranjeras. A priori puede parecer una inversión modesta, pero en el marco de la economía rusa es un gasto importante que a medio plazo persigue desarrollar la capacidad de fabricar chips de 28 nm.
La baza de Rusia frente a ASML: la longitud de onda de 11,2 nm
Los primeros resultados ya han llegado, si nos ceñimos a la información proporcionada por la propia Rusia. Y es que a finales del pasado mes de mayo Vasily Shpak, viceministro de Industria y Comercio de la Federación Rusa, anunció durante la conferencia «Industria Digital de Rusia Industrial» que su país ya tiene preparado su primer equipo de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE). Además, Shpak confirmó que su construcción es íntegramente rusa, y, lo que es más importante, también anticipó que esta primera máquina UVE es capaz de fabricar circuitos integrados de 350 nm.
Parece muy poca cosa si tenemos presente que la compañía taiwanesa TSMC y la surcoreana Samsung están fabricando semiconductores de 3 nm con los equipos UVE de ASML desde hace ya más de dos años. Sin embargo, lo realmente importante es que Rusia al parecer ya tiene la tecnología necesaria para poner a punto estas máquinas de fotolitografía. A partir de aquí sus ingenieros y físicos pueden refinar paulatinamente su tecnología para hacer posible la producción de circuitos integrados más avanzados.
De hecho, es justo lo que el Gobierno ruso planea hacer. Y es que su itinerario establece que en 2026 Rusia debería tener listo un prototipo de equipo de litografía UVE capaz de fabricar chips de 130 nm. Y en 2028 otro similar capacitado para producir circuitos integrados de 7 nm. A priori parece un plan exageradamente ambicioso, pero ya conocemos algunos detalles acerca de su tecnología que no habían visto la luz a finales de mayo, cuando Rusia dio a conocer oficialmente que ya tenía preparado su primer equipo de litografía UVE.
Y es que el medio de comunicación ruso CNews ha publicado un artículo muy interesante que recoge algunos detalles técnicos acerca de la tecnología de la que habla Vasily Shpak. Según este informe los ingenieros rusos han decidido utilizar en su futura máquina de litografía de ultravioleta extremo láseres que trabajan con una longitud de onda de 11,2 nm en vez de los 13,5 nm que utilizan los equipos de litografía equiparables que produce ASML. Además, la fuente láser rusa empleará xenón en vez de estaño.
Nikolay Chkhalo, el físico del Instituto de Física de Microestructuras de la Academia de Ciencias de Rusia que lidera este proyecto, asegura que su tecnología les permitirá fabricar máquinas UVE mucho más económicas que las que produce ASML. Y, lo que es si cabe más importante, con unas prestaciones ligeramente superiores debido a que el uso del láser de 11,2 nm ofrece una mejora de la resolución del 20%, según Chkhalo.
Todo esto suena bien, pero es importante que no pasemos por alto que la utilización de un láser con diferente longitud de onda implica que las máquinas rusas serán incompatibles con el ecosistema de fabricación de circuitos integrados de vanguardia actual. Y desarrollar un nuevo ecosistema al completo con toda probabilidad le va a llevar a Rusia más de los tres años que tardará, según Vasily Shpak, en tener listo su primer equipo de litografía capaz de producir semiconductores de 7 nm.
